第三代半导体材料应用正在蓬勃发展
以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为突破口，第三代半导体材料正在兴起。据有关报告，在5G设备、电动汽车和工业设施（包括太阳能设施）中使用SiC和GaN等复合半导体的需求正开始真正增加。从2021年起，复合电力半导体市场将大幅增长，到2029年，复合功率半导体市场预计将增长5倍以上。
包括SiC（4H-SiC）和GaN（氮化镓）在内的下一代化合物功率半导体市场的增长正在开始。市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场的复合年增长率将达到29%，达到20亿美元。相关受益者应包括美国的Cree、STMicroelectronics和Veeco以及韩国的RFHIC。
晶圆生产技术是生产GaN和SiC半导体的关键。我们注意到，化合物半导体已经开始用于5G设备、工业设施、电动汽车和太阳能等其他行业。最近，氮化镓晶体管已被大规模地用于智能手机和笔记本电脑的充电适配器。此外，现代汽车集团最近宣布的E-GMP采用了Sic半导体。
在复合半导体的生产中，晶圆生产技术是重要的。GaN半导体是利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备在衬底上生长GaN外延层来制造的。SiC外延片是在多晶硅片上沉积几微米厚的SiC单晶层。碳化硅晶片是由许多公司生产的，包括克里、英飞凌和罗门恩。在韩国，收购杜邦SiC晶圆部门的SK Siltron正在投资该行业。碳化硅晶片现在供不应求。
Cree计划到2024年将其SiC产能提高30倍，并在其GaN业务上投资10亿美元。2019年，ST Micro的SiC芯片组相关销售额达到2亿美元，预计到2025年将达到10亿美元。
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