IGBT是一种电压控制的电力三极管，你可以看作是一个高功率版本的CMOS管。特点是开关频率高，家庭方面的主要应用比如变频空调、电磁炉，微波炉，还有就是电脑电源的主动pfc还有UPS。工业方面应用主要用于各种电机驱动，从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。
然而在电力电子里面，重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件（Power Disceret）嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术的产品，已经全面取代了传统的Power mosFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品（包括芯片）还是被垄断在少数IDM手上（FairChild、Infineon、TOSHIBA），位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位（简称 “02专项”）。
1、何为IGBT？
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。
我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子（多子）导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱 动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管（高输入阻抗），又利用了BJT的双载流子达到大电流（低导通压降）的目的 （Voltage-Controlled Bipolar Device）。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
